GaN新突破：单晶衬底进入8英寸时代
东莞市中镓半导体科技有限公司成功攻克6英寸及8英寸氮化镓单晶衬底的制备技术。这一成果，是依托于中镓半导体自主研发的超大型氢化物气相外延设备（HVPE）实现的。
hvpe
技术前沿｜一文解读氧化镓外延技术
氧化镓（Ga₂O₃）作为新兴的第四代半导体材料，因其超宽的禁带宽度（~4.9eV）、高击穿场强（8MV/cm）和优异的Baliga品质因数（约为SiC的10倍、GaN的4倍），在高压功率器件、深紫外光电器件及极端环境电子设备中展现出巨大潜力。与第三代半导体碳化
Na-flux法提高了GaN器件的性能
丰田合成展示了与市售衬底相比，一项增强GaN衬底的技术如何在功率调节能力和良率上提高器件性能。研究成果发表在Physica Status Solidi (RRL) – Rapid Research Letters上。